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SI2337DS-T1-E3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm ?P-Channel ?175°COperatingTemperature ?DynamicdV/dtRating ?LowThermalResistance ?Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SI2337DS-T1-E3

P-Channel 80-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI2337DS-T1-E3

P-Channel 80 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI2337DS-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 80V 2.2A 2.5W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
24+
SOT-23
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22+
SOT-23
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SOT-23
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SOT-23
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Vishay(威世)
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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更多SI2337DS-T1-E3供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:26:00

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