首頁>Si2365EDS-T1-GE3>詳情

Si2365EDS-T1-GE3_VAISH_MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III科恒偉業(yè)二部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    Si2365EDS-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VAISH/Vaishali Semiconductor

  • 庫存數(shù)量：

    98215

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23-3

  • 生產(chǎn)批號：

    1742+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-18 10:31:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：Si2365EDS-T1-GE3品牌：VISHA

只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品!

  • 芯片型號：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    466.15 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    Si2365EDS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

相近型號