首頁>SI3410DV-T1-GE3>詳情

SI3410DV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V振芯物聯(lián)

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    SI3410DV-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    28600

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT163

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-2 14:08:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI3410DV-T1-GE3品牌：VISHAY

只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理

  • 芯片型號：

    SI3410DV-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    486.94 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI3410DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生(公司為一般納稅人,可開13%增票)

  • 手機(jī)：

    18823845059

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    188-2384-5059【只做原裝●一諾千金】

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟402室

相近型號