首頁(yè)>SI3430DV-T1-E3>詳情

SI3430DV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 100V 8A 2W科恒偉業(yè)二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI3430DV-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6528

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT163

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2016+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 15:24:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SI3430DV-T1-E3品牌：VISHAY

只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個(gè)別型號(hào)可以免費(fèi)送樣品!

  • 芯片型號(hào)：

    SI3430DV-T1-E3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    239.03 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI3430DV-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 8A 2W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

相近型號(hào)