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SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SI3442BDV-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI3442BDV-T1-E3

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI3442BDV-T1-GE3

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI3442BDV-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
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新進庫存/原裝
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更多SI3442BDV-T1供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 14:14:00