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SI3454DV中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI3454DV
廠商型號

SI3454DV

功能描述

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

122.18 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-17 17:10:00

SI3454DV規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

Features

? 4.2 A, 30 V. RDS(ON) = 65 m? @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 95 m? @ VGS = 4.5 V

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? Low gate charge (9.4 nC typical)

? High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI3454DV

  • 功能描述:

    MOSFET 30V/20V NCh MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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