SI3456BDV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V華斯頓科技

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  • 廠家型號:

    SI3456BDV-T1-GE3

  • 產品分類:

    IC芯片

  • 生產廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數量:

    29267

  • 產品封裝:

    SOT23-6

  • 生產批號:

    22+23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-25 16:50:00

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原廠料號:SI3456BDV-T1-GE3品牌:VISHAY

絕對原裝正品全新進口深圳現貨

  • 芯片型號:

    SI3456BDV-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VBSEMI【微碧半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱:

    微碧半導體(臺灣)有限公司

  • 內容頁數:

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    487.26 kb

  • 資料說明:

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    SI3456BDV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯系人:

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機:

    13925279453

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真:

    0755-83355559

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強北新亞洲電子市場3B047展銷柜