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首頁>SI3456DDV-T1-GE3>芯片詳情
SI3456DDV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V兆威電子01部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI3456DDV-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
顏小姐 /李先生
- 手機:
13823576937
- 詢價:
- 電話:
0755- 82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608
相近型號
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