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首頁>SI3456DV-T1-E3>芯片詳情
SI3456DV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 5.1A 2W芯祺盛科技三部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI3456DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 5.1A 2W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯祺盛科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
黃佩怡
- 手機:
18218024427
- 詢價:
- 電話:
0755-82562124
- 傳真:
0755-82562124
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈511
相近型號
- SI3456DDV-T1-E3
- SI3457BDV
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- SI3456-D04-GU
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- SI3457BDV-T1-GE3
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- SI3457DV-NL
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- SI3454DV
- SI3459BDV
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