訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI3459DV-T1-E3>詳情
SI3459DV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 2.2A 2W兆威電子02部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI3459DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 60V 2.2A 2W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄭小姐
- 手機:
19926409052
- 詢價:
- 電話:
0755-82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號城市山海中心C棟606-608
相近型號
- SI3460BDV
- SI3460BDV-T1
- SI3459BDV-T1-GE3
- SI3460BDVT1E3
- SI3459BDVT1GE3
- SI3460BDV-T1-E3
- SI3459BDV-T1-G3
- SI3460BDVT1GE3
- SI3459BDV-T1-E3MOS
- SI3460BDV-T1-GE3
- SI3459BDV-T1-E3
- SI3460-D01-GM
- SI3459BDVT1E3
- SI3460DDV
- SI3459BDV-T1-E
- SI3460DDV-T1
- SI3459BDV
- SI3460DDV-T1-E3
- SI3459BDN-T1-GE3
- SI3460DDV-T1G
- SI3459-B02-IMR
- SI3460DDVT1GE3
- SI3459B02IMR
- SI3460DDV-T1-GE3
- SI3459-B02-IM
- SI3460DDV-T1-GE3IC
- SI3459B02IM
- SI3458DV-T1-GE3
- SI3460DV
- SI3460DV3-E3
- SI3460DV-E3
- SI3458DV-T1-E3IC
- SI3460DVFETIGBTIC
- SI3458DV-T1-E3CT-ND
- SI3458DV-T1-E3
- SI3460DVT1
- SI3458DVT1E3
- SI3460DV-T1
- SI3458DV-T1
- SI3460DVT1E3
- SI3458DVT1
- SI3460DV-T1-E3
- SI3458DV-E3
- SI3460DV-T1-E3IC
- SI3458DV
- SI3460DV-T1-E3LEADFR
- SI3458-C05-ZMR
- SI3460DV-T1-E3MOS()
- SI3458-C05-IMR
- SI3458-C04-IMR