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SI3460BDV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 8.0A 3.5W兆威電子02部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI3460BDV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 8.0A 3.5W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄭小姐
- 手機(jī):
19926409052
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號(hào)城市山海中心C棟606-608
相近型號(hào)
- SI3460DDV-T1
- SI3460DDV-T1-E3
- SI3460DDV-T1G
- SI3459DV-T1-GE3
- SI3460DDVT1GE3
- SI3460DDV-T1-GE3
- SI3459DV-T1-E3
- SI3460DDV-T1-GE3IC
- SI3459DVT1E3
- SI3459DV-T1
- SI3459DV1
- SI3460DV
- SI3459DV
- SI3460DV3-E3
- SI3459BDY-T1-E3
- SI3460DV-E3
- SI3459BDV-TI-E3
- SI3460DVFETIGBTIC
- SI3459BDV-T1-GE3
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- SI3459BDV-T1-G3
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- SI3460DV-T1-E3
- SI3459BDV-T1-E3MOS
- SI3460DV-T1-E3IC
- SI3459BDV-T1-E3
- SI3460DV-T1-E3LEADFR
- SI3459BDVT1E3
- SI3460DV-T1-E3MOS()
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- SI3459B02IMR
- SI3460DV-T1-GE3
- SI3459-B02-IM
- SI3459B02IM
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