訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
Si3464DV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP宏世佳電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
Si3464DV-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
TrenchFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商
- 企業(yè):
深圳市宏世佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生/高小姐
- 手機:
13556880971
- 詢價:
- 電話:
086-0755-82556029/82532511
- 傳真:
086-0755-82568063
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)鵬基上步工業(yè)廠房102棟西620
相近型號
- SI3465DV-T1-E3
- SI3462E01GMR
- SI3462-E01-GMIC
- SI3465DVT1GE3
- SI3462-E01-GM
- SI3465DV-T1-GE3
- SI3462E01GM
- SI3465DVT1-GE3
- SI3461-E02-GMR
- SI3461-E02-GM
- SI3467DV
- SI3461E02GM
- SI3467DV-T1
- SI3461-E01-GMR
- SI3467DVT1E3
- SI3461E01GMR
- SI3467DV-T1-E3
- SI3461-E01-GM
- SI3467DV-T1-E3IC
- SI3461E01GM
- SI3467DVT1GE3
- SI3461DVT1-GE3
- SI3467DV-T1-GE3
- SI3461DV-T1-GE3
- SI3467DVT1-GE3
- SI3461DV-T1-E3IC
- SI3461DV-T1-E3
- SI3460-EVB
- SI3469DV
- SI3460-E03-GMR
- SI3469DV-T1
- SI3460E03GMR
- SI3469DV-T1-E
- SI3460-E03-GM
- SI3469DVT1E3
- SI3460E03GM
- SI3469DV-T1-E3
- SI3460-E02-GMR
- SI3469DV-T1-E3IC
- SI3460E02GMR
- SI3460-E02-GM
- SI3469DVT1GE3
- SI3460E02GM
- SI3469DV-T1-GE3
- SI3460DV-T3-E3
- SI3469DV-TP
- SI3460DV-T1-GE3
- SI3471A-A01-IM
- SI3460DVT1GE3
- SI3471A-A01-IMR