首頁(yè)>SI3529DV-T1-GE3>詳情

SI3529DV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V威爾健半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI3529DV-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT163

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-30 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI3529DV-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號(hào)：

    SI3529DV-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI3529DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    17302670410

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e

相近型號(hào)