首頁>Si3586DV-T1-GE3>詳情

Si3586DV-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 3.4/2.5A 1.15W 60/110mohm @ 4.5V歐立現(xiàn)代

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    Si3586DV-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫存數(shù)量：

    15800

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-23-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-20 16:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：Si3586DV-T1-GE3品牌：VISHAY

絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購!

  • 芯片型號(hào)：

    SI3586DV-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    212.15 kb

  • 資料說明：

    N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    Si3586DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 3.4/2.5A 1.15W 60/110mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    胡先生/朱先生/林小姐

  • 手機(jī)：

    18033057686

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83222787/0755-23999932

  • 傳真：

    0755-83238256

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園三棟東座10樓A2室

相近型號(hào)