訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI3590DV-T1-E3>詳情
SI3590DV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET N&P-CH 30V(D-S)東來寶一部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI3590DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET N&P-CH 30V(D-S)
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市東來寶電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄧先生
- 手機:
13622346275
- 詢價:
- 電話:
13622346275
- 傳真:
0755-82785903
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)布吉街道景芬路華浩源2棟1單元201室/香港九龍新界圓藍天水圍嘉湖山莊賞湖居六座39E
相近型號
- SI3588DV-T1-GE3
- SI-3622V
- SI3685DV-T1-E3
- SI3588DVT1GE3
- SI3685DV-TI
- SI36LD
- SI3588DV-T1-E3
- SI3588DVT1E3
- SI-3700A
- SI3705142K
- SI3588DV-T1
- SI3588DVT1
- SI3801DS
- SI3801DV
- SI3588DV
- SI3588ADV-T1-E3
- SI3801DV-T1
- SI3588
- SI3801DV-T1/01
- SI3801DV-T1-E3
- SI3586DV-T1-GE3IC
- SI3801DV-T1-GE3
- SI3803DV
- SI3586DV-T1-GE3
- SI3586-DV-T1-GE3
- SI3803DV-T1
- SI3586DVT1GE3
- SI3803DV-T1-E3
- SI3805DV
- SI3586DV-T1-E3-VB
- SI3805DV-T1
- SI3586DV-T1-E3
- SI3586DVT1E3
- SI3805DVT1E3
- SI3586DV-T1
- SI3805DV-T1-E3
- SI3586DV1-E3
- SI3586DV
- SI3805DVT1GE3
- SI3586DS-TI-E3
- SI3805DV-T1-GE3
- SI3585DV-T1-GE3
- SI3812DV
- SI3585DVT1GE3
- SI3812DV-T1
- SI3812DVT1E3
- SI3585DV-T1-E3-VB
- SI3812DV-T1-E3
- SI3812DVT1GE3
- SI3585DV-T1-E3IC