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SI3590DV-T1-GE3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?UltralowRDS(on)n-andp-channelforhigh efficiency ?Optimizedforhighside/lowside ?Minimizedconductionlosses ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Portabledevicesinc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI3590DV-T1-GE3

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SI3590DV-T1-GE3

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI3590DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SI3590DV-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 14:14:00

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