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SI3879DV-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 5.0A 3.3W躍創(chuàng)芯
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):SI3879DV-T1-E3品牌:VISHAY
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI3879DV-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 5.0A 3.3W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李小姐
- 手機(jī):
19065122659
- 詢價(jià):
- 電話:
13510546959
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福山社區(qū)彩田路2010號(hào)中深花園B1008M15
相近型號(hào)
- SI3900DVT1E3
- SI3900DV-T1-E3
- SI3872DVT1
- SI3900DV-T1-E3/BKN
- SI3872DV
- SI3900DV-T1-E3IC
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- SI3865DV-TI
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- SI3909DV-T1-GE3
- SI3865DV65
- SI3865DV/65
- SI3865DV
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- SI3911DV1-E3
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- SI3865DDV-T1-GE3IC
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