首頁>SI4214DDY-T1-E3>詳情

SI4214DDY-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8振鑫微電子2部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SI4214DDY-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    589610

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-18 16:28:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI4214DDY-T1-E3品牌：Vishay(威世)

新到現(xiàn)貨 原廠一手貨源 價格秒殺代理!

  • 芯片型號：

    SI4214DDY-T1-E3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    189.04 kb

  • 資料說明：

    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI4214DDY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市振鑫微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生 張小姐 李先生

  • 手機：

    15889769346

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83250901

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)沙頭街道天安社區(qū)深南大道6007號安徽大廈1614

相近型號