SI4214DDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V宇創(chuàng)芯科技

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SI4214DDY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量:

    9600

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOP8

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    22+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-18 15:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):SI4214DDY-T1-GE3品牌:VISHAY/威世

原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!

  • 芯片型號(hào):

    SI4214DDY-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    249.03 kb

  • 資料說明:

    Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SI4214DDY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 8.5A 3.1W 19.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機(jī):

    15889311978

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83220081

  • 傳真:

    0755-82799659

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路南側(cè)南光捷佳大廈1727