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SI4286DY-T1-GE3_VAISH_MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts齊創(chuàng)科技

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  • 廠家型號(hào)：

    SI4286DY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VIS

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    36273

  • 產(chǎn)品封裝：

    SO-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-21 15:36:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI4286DY-T1-GE3品牌：VIS

原裝正品,假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    SI4286DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    1090.97 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4286DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/綦先生【原裝正品】

  • 手機(jī)：

    18616352679

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    021-32301707

  • 地址：

    上海市靜安區(qū)海寧路1399號(hào)/北京市海淀區(qū)中海園電子市場(chǎng)/青島市城陽(yáng)區(qū)正陽(yáng)路205號(hào)

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