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SI4403BDY-T1-E3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4403BDY-T1-E3
廠商型號

SI4403BDY-T1-E3

功能描述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.027339 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-10-31 19:09:00

SI4403BDY-T1-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

? TrenchFET? Power MOSFET

? 100 Rg Tested

? Built in ESD Protection with Zener Diode

? Typical ESD Performance: 1800 V

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? Portable Devices

- Load Switch

- Battery Switch

- Charger Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4403BDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 9A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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