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SI4410DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SI4410DYPBF |
| 功能描述 | HEXFET?Power MOSFET |
| 文件大小 |
119.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-3 22:59:00 |
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SI4410DYPBF規(guī)格書詳情
Description
This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.
● N-Channel MOSFET
● Low On-Resistance
● Low Gate Charge
● Surface Mount
● Logic Level Drive
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SI4410DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
27600 |
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IR |
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SOP-8 |
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IR |
23+ |
SOP8 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
con |
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VISHAY/威世 |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
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詢價(jià) | ||
IR |
SOP-8 |
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IR |
24+ |
58900 |
詢價(jià) |
