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SI4410DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4410DYPBF
廠商型號

SI4410DYPBF

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

124.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00

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SI4410DYPBF規(guī)格書詳情

Description

This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.

The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.

● N-Channel MOSFET

● Low On-Resistance

● Low Gate Charge

● Surface Mount

● Logic Level Drive

● Lead-Free

產品屬性

  • 型號:

    SI4410DYPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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