首頁>SI4463CDY-T1-GE3>芯片詳情

SI4463CDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8匯萊威一部

SI4463CDY-T1-GE3

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    502336

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP-8

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-1-3 15:14:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI4463CDY-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    218.24 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Transistor

  • Polarity：

    P Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    -18.6A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    -20V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.006ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    -10V; Power Dissipation

  • Pd：

    5W ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 制造商：

    Vishay

  • 功能描述：

    Trans MOSFET P-CH 20V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    18126328660

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

相近型號