SI4490DY中文資料威世科技數據手冊PDF規(guī)格書
產品屬性
- 型號:
SI4490DY
- 功能描述:
MOSFET 200V 4A 3.1W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY |
21+ |
SOP |
5123 |
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詢價 | ||
VISHAY |
18+ |
SOIC8 |
18510 |
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詢價 | ||
SI |
24+ |
8P |
2987 |
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詢價 | ||
VISHAY |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現貨 |
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VISHAY |
12+ |
SOP8 |
2500 |
原裝現貨/特價 |
詢價 | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SO-8 |
54258 |
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Vishay(威世) |
23+ |
標準封裝 |
13048 |
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詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
SOP |
19567 |
詢價 | |||
VISHAY |
22+23+ |
SOP |
23468 |
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詢價 |