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SI4562DY

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET:2.5Rated ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4562DY

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET:2.5Rated ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4562DY

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4562DY_V01

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET:2.5Rated ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?MotorDrive ?MobilePowerBank

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET:2.5Rated ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI4562DY_06

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SZ4562

SURFACEMOUNTZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.6to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

SZ4562

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

Features CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

SZ4562

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange2.7to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4562DY

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SI4562DY供應商 更新時間2025-3-11 10:00:00

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