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SI4804CDY-T1-E3中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4804CDY-T1-E3
廠商型號

SI4804CDY-T1-E3

功能描述

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.60257 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 14:06:00

SI4804CDY-T1-E3規(guī)格書詳情

Features

VDS= 30V, ID= 9 A

RDS(ON) < 16 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 24 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4804CDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VBsemi
21+
SOP8
10005
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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高品質(zhì)替代,技術(shù)支持,參數(shù)選型
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17432
提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴
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