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SI4816BDY-T1-GE3中文資料臺(tái)舟電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4816BDY-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI4816BDY-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

絲印標(biāo)識(shí)

4816B

封裝外殼

SOP-8

文件大小

4.11502 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 TECH PUBLIC Electronics co LTD
企業(yè)簡稱

TECHPUBLIC臺(tái)舟電子

中文名稱

臺(tái)舟電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-5 23:00:00

SI4816BDY-T1-GE3規(guī)格書詳情

GENERAL FEATURES

● Q1:N-Channel

● 30V/7A,

RDS(ON) = 19m2 (typ.) @ VGs = 10V

RDS(ON) = 24m2 (typ.) @ VGS = 4.5V

Q2:N-Channel

● 30V/11.2A,

RDS(ON) = 10m2 (typ.) @ VGs=10V

GS

RDS ON = 14m2 (typ.) @ V=4.5V

DS'ON

● Schottky

Vds=30V IF =2.0A

Vsd: 0.5V@1.0A

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4816BDY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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