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    SI4852DY-T1-E3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

    SI4852DY-T1-E3
    廠商型號

    SI4852DY-T1-E3

    功能描述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET

    文件大小

    1.00698 Mbytes

    頁面數(shù)量

    9

    生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
    企業(yè)簡稱

    VBSEMI微碧半導(dǎo)體

    中文名稱

    微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

    原廠標(biāo)識
    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2025-2-24 18:27:00

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    產(chǎn)品屬性

    • 型號:

      SI4852DY-T1-E3

    • 功能描述:

      MOSFET 30V 15A 3.1W

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

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