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SI4900DY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4900DY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 5.3A 3.1W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
Bychip
23+
SOP8
10000
高品質(zhì)替代,技術支持,參數(shù)選型
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VISHAY/威世
24+
SO-8
502507
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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Vishay/Siliconix
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7500
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多SI4900DY-T1-E3供應商 更新時間2024-12-31 17:05:00

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