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SI4922BDY	文件：185.72 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUIStested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4922BDY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4922BDY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4922BDY	文件：186.64 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4922BDY_V01	文件：185.72 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUIStested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC OrderingInformation:Si4922BDY-T1-E3(Lead(Pb)-free) Si4922BDY-T1-GE3(Lead(Pb)-freeandHalogen-free)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4922BDY-T1-E3	文件：1.05192 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI4922BDY-T1-E3	文件：254.58 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
4922R	文件：1.13856 Mbytes Page：1 Pages	SurfaceMountHighCurrentPowerInductors	API API Delevan	API
ACE4922	文件：644.51 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE4922B	文件：837.78 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE4922BEM	文件：837.78 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE4922BistheDualN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance. Thesedevices	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AM4922N	文件：2.53215 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
AM4922N	文件：165.74 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO4922	文件：165 Kbytes Page：8 Pages	AsymmetricDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4922usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO4922	文件：244.69 Kbytes Page：8 Pages	AsymmetricDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
BU4922	文件：290.68 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BU4922	文件：405.58 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICsUltra-lowcurrentconsumption	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BU4922	文件：266.76 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICSeries	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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BU4922	文件：473.68 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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BU4922	文件：272.29 Kbytes Page：6 Pages	LowVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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詳細參數(shù)

型號：
SI4922BDY
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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