首頁(yè)>SI4936BDY-T1-E3>詳情

SI4936BDY-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W鑫科潤(rùn)電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI4936BDY-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1742

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    0842+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-25 10:37:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI4936BDY-T1-E3品牌：VISHAY

原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢

  • 芯片型號(hào)：

    SI4936BDY-T1-E3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    1025.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4936BDY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    孫小姐\張小姐\趙先生

  • 手機(jī)：

    18521007236

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18521007236

  • 地址：

    上海徐匯區(qū)中山南二路1007號(hào)

相近型號(hào)