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SI4936DY-T1-E3中文資料微碧半導體數據手冊PDF規(guī)格書

SI4936DY-T1-E3
廠商型號

SI4936DY-T1-E3

功能描述

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.025609 Mbytes

頁面數量

9

生產廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導體

中文名稱

微碧半導體(臺灣)有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 23:00:00

產品屬性

  • 型號:

    SI4936DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Vishay(威世)
23+
標準封裝
13606
原廠直銷,大量現貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
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VISHAY
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2020+
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VISHAY/威世
22+
SOP-8
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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VISHAY
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SOP8
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