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SI4982DY-T1-GE3

SI4982DY-T1-GE3

SI4982DY-T1-GE3

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI4982DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
24+
SOIC-8
19007
只做原廠渠道 可追溯貨源
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VISHAY/威世
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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SOIC-8
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多SI4982DY-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 11:04:00