訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI5853DDC-T1-E3>芯片詳情
SI5853DDC-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V艾宇特電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI5853DDC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市艾宇特電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李 先生
- 手機:
15817287769
- 詢價:
- 電話:
0755-83224028/83201767
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14
相近型號
- SI5853DL-T1-E3
- SI5855CDC1-E3
- SI5855CDCD-T1-GE3
- SI5853DC-TI-E3
- SI5855CDCT1E3
- SI5855CDC-T1-E3
- SI5853DC-T1-GE3
- SI5855CDC-T1-GE3
- SI5853DC-T1-E3IC
- SI5855DC
- SI5853DC-T1-E3/VIS
- SI5855DC1-E3
- SI5853DC-T1-E3
- SI5855DC-T1
- SI5853DCT1E3
- SI5855DCT1E3
- SI5853DC-T1-E
- SI5855DC-T1-E3
- SI5853DC-T1
- SI5855DC-T1-E3IC
- SI5853DCIC
- SI5853DCB/CJ5853DCB
- SI5855DC-T1-GE3
- SI5853DC/CJ5853DC
- SI5853DC
- SI5853CD-T1-E3
- SI5856DC
- SI5853CDC-T1-GE3
- SI5856DCT1
- SI5856DC-T1
- SI5853CDC-T1-E3IC
- SI5856DCT1E3
- SI5853CDC-T1-E3
- SI5856DC-T1-E3
- SI5853CDCT1E3
- SI5856DC-T1-E3IC
- SI5853CDC-T1-E
- SI5856DC-T1-GE3
- SI5853CDC1-E3
- SI5853CDC
- SI5857DUT1E3
- SI5853
- SI5857DU-T1-E3
- SI584
- SI5857DUT1GE3
- SI582DY
- SI5857DU-T1-GE3
- SI582DJ
- SI5858DUT1E3
- SI581DY