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SI5904DC-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
SI5904DC-T1-GE3 |
功能描述 | Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET |
文件大小 |
224.04 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-31 22:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI5904DC-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N-CH 20V 1206-8
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
TrenchFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
25745 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY |
11+ |
1206-8 |
25829 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
VISHAY |
ROHS |
13352 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP81206-8 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
1206-8CHIPFET |
25000 |
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詢價 | ||
VISHAY |
21+ |
1206-8 |
9866 |
詢價 | |||
VISHAY |
23+ |
1206-8 |
28329 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
VISHAY (SILICONIX) |
1128 |
164 |
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詢價 | |||
VISHAY |
1206-8 |
99830 |
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詢價 |