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SI5906DU-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V創(chuàng)新跡商城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI5906DU-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機(jī):
13430590551
- 詢價(jià):
- 電話:
13430590551
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號(hào)
- SI5905DCT1E3
- SI5908DC-T1
- SI5905DCT1(VISHAY)
- SI5908DCT1E3
- SI5905DC-T1
- SI5908DC-T1-E3
- SI5905DCT1
- SI5905DC
- SI5908DC-T1-E3IC
- SI5905CDC-T1-GE3
- SI5905BDC-TI-E3
- SI5905BDC-T1-GE3
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- SI5908DCT1GE3
- SI5905BDC-T1-E3
- SI5908DC-T1-GE3
- SI5905BDCT1E3
- SI5904DC-TI-E3
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- SI5915BDCT1E3
- SI5904DC
- SI5915BDC-T1-E3
- SI5915BDCT1GE3
- SI5903DC-T1-GE3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI5903DCT1GE3
- SI5915DC
- SI5903DC-T1-E3/BKN
- SI5915DC-E3
- SI5903DC-T1-E3
- SI5915DCT1
- SI5903DCT1E3
- SI5915DC-T1
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- SI5915DC-T1-C
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- SI5915DCT1GE3
- SI5902DC-T1-E3