訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI5913DC-T1-E3>詳情
SI5913DC-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V凌旭科技二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI5913DC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市凌旭科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
謝先生
- 手機:
13682335883
- 詢價:
- 電話:
0755-83221677
- 傳真:
0755-83234215
- 地址:
深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407
相近型號
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI5915DC
- SI5908DC-T1-E3IC
- SI5915DC-E3
- SI5915DCT1
- SI5908DC-T1-E3
- SI5915DC-T1
- SI5908DCT1E3
- SI5915DC-T1-C
- SI5908DC-T1
- SI5915DCT1E3
- SI5915DC-T1-E3
- SI5908DCD-T1-GE3
- SI5915DCT1GE3
- SI5908DC
- SI5915DC-T1-GE3
- SI5908
- SI5915DC-T1IC
- SI5906DU-T1-GE3IC
- SI5906DU-T1-GE3
- SI5915DC-TI
- SI5906DUT1GE3
- SI5915DC-TI-E3
- SI5905DC-T1-GE3
- SI5905DCT1GE3
- SI591BD000292DG
- SI5905DC-T1-E3IC
- SI5920DC-T1
- SI5905DC-T1-E3
- SI5920DCT1E3
- SI5905DCT1E3
- SI5920DC-T1-E3
- SI5905DCT1(VISHAY)
- SI5920DC-T1-E3IC
- SI5905DC-T1
- SI5920DCT1GE3
- SI5905DCT1
- SI5920DC-T1-GE3
- SI5905DC
- SI5922DUT1GE3
- SI5905CDC-T1-GE3
- SI5922DU-T1-GE3
- SI5905BDC-TI-E3
- SI5933CDC
- SI5905BDC-T1-GE3
- SI5933CDCD-T1-GE3
- SI5905BDCT1GE3
- SI5933CDCT1E3
- SI5905BDC-T1-E3
- SI5933CDC-T1-E3