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SI6465DQ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V金芯世紀(jì)電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI6465DQ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳小姐
- 手機:
18118707592
- 詢價:
- 電話:
0755-23616010
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座35層B03
相近型號
- SI6465DQ
- SI6466ADQ-T1
- SI6465
- SI6466ADQT1E3
- SI6466ADQ-T1-E3
- SI6463DQ-T1TSSOP8
- SI6466ADQT1GE3
- SI6463DQ-T1-E3
- SI6466ADQ-T1-GE3
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- SI6466DQ
- SI6463DQ-T
- SI6466DQ-T1
- SI6463DQ463
- SI6466DQ-T1-E3
- SI6463DQ
- SI6466DQ-T1-GE3
- SI6466DQ-T1SSOP-16
- SI6467BDQ
- SI6463BDQ-T1-GE3
- SI6467BDQ1-E3
- SI6463BDQT1GE3
- SI6467BDQ-E3
- SI6467BDQ-T1
- SI6463BDQ-T1-E3/BKN
- SI6467BDQT1E3
- SI6463BDQ-T1-E3
- SI6467BDQ-T1-E3
- SI6463BDQT1E3
- SI6463BDQ-T1
- SI6467BDQT1GE3
- SI6463BDQ-GE3
- SI6467BDQ-T1-GE3
- SI6463BDQ
- SI6467BDQ-T1TE3
- SI6463ADQ-T1-E3
- SI6467BDQ-TI
- SI6463ADQ-T1
- SI6467BDQ-TI-E3
- SI6463ADQ
- SI6467DQ
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- SI6467DQ-P1
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