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SI6562CDQ-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI6562CDQ-T1-GE3
廠商型號

SI6562CDQ-T1-GE3

功能描述

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETs

文件大小

247.48 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI6562CDQ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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