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SI6968BEDQ中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI6968BEDQ
廠商型號(hào)

SI6968BEDQ

功能描述

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

文件大小

256.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-4 16:23:00

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SI6968BEDQ規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFETs

? ESD protected: 3000 V

? Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Note

? *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.

Exemptions may apply

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI6968BEDQ

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual N-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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