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首頁>SI7101DN-T1-GE3>芯片詳情
SI7101DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III航潤創(chuàng)能二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI7101DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 晶體管極性:
P-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
- 30 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
- 35 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.0072 Ohms
- 配置:
Dual Dual Drain
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerPak-1212-8
- 封裝:
Reel
供應商
- 企業(yè):
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
朱小姐
- 手機:
19520636341
- 詢價:
- 電話:
19520636341
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)深南中路2068號華能大廈2303
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