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SI7110DN-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm兆威電子01部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI7110DN-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
顏小姐 /李先生
- 手機(jī):
13823576937
- 詢價(jià):
- 電話:
0755- 82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號(hào)城市山海中心C棟606-608
相近型號(hào)
- SI7110DN-T1-GE3IC
- SI7108DN-T1-GE3CT
- SI7111EDNT1GE3
- SI7108DN-T1-GE3
- SI7111EDN-T1-GE3
- SI7108DNT1GE3
- SI7112
- SI7108DN-T1-GE
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- SI7108DN1-E3
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- SI7112DN-T1-GE3
- SI7108
- SI7112DN-T1-GE3CT
- SI7107DN-T1-GE3
- SI7107DNT1GE3
- SI7107DN-T1-E3/BKN
- SI7107DN-T1-E3
- SI7112DP-T1-GE3
- SI7107DNT1E3
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- SI7106JN-T1-GE3
- SI7113ADN-T1-GE3
- SI7113DN
- SI7113DN1-E3
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