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SI7444DP-T1-GE3

VB
QFN8

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

相關企業(yè)：京海半導體(深圳)有限公司

SI7444DP-T1-GE3

VB
QFN8

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

相關企業(yè)：京海半導體(深圳)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI7444DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VB
21+
QFN8
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
VISHAY/威世
2022
QFN
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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VISHAY/威世
23+
NA/
96
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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24+
3000
自己現(xiàn)貨
 詢價
VIS
23+
QFN8
5000
原裝正品,假一罰十
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SI
24+
QFN-8
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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2018+
QFN
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只做原裝正品假一賠十!只要網上有上百分百有庫存放心
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VISHAY
24+
SO-8
2679
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更多SI7444DP-T1-GE3供應商 更新時間2025-2-4 13:00:00

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