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IC/元器件
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SI7820DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V能元時(shí)代
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI7820DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市能元時(shí)代電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機(jī):
15813805782
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-29016895
- 傳真:
0755-23901355
- 地址:
深圳市福田區(qū)1002號(hào)賽格廣場(chǎng)4709B
相近型號(hào)
- SI7840BDP
- SI7820DN-T1-CT
- SI7840BDPT1E3
- SI7820DN
- SI7840BDP-T1-E3
- SI78200N-T1-GE3
- SI7820
- SI7840BDPT1GE3
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- SI7840BDP-T1-GE3
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- SI7818DNT1GE3
- SI7840DN-T1-E3
- SI7818DN-T1-E3CT
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- SI7818DN-T1-E3
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- SI7812DN-T1-GE3
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- SI7840DP-T1-GE3
- SI7812DN-T1-E3IC
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- SI7812DNT1E3
- SI7812DN1-GE3
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- SI7812DN1-E3
- SI7812DN
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- SI7812
- SI7842DP
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- SI7842DP1-E3
- SI7842DP-T1
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- SI7810DNT1GE3