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SI7860DP-E3

VISHAY

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威世科技威世科技半導體

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SI7860DP-E3

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BARRY

Vishay Barry

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI7860DP-E3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 18A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
24+
3425
詢價
VISHAY
23+
QFN8
5000
原裝正品,假一罰十
詢價
VISHAY
17+
SOP-8
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價
VISHAY
2016+
QFN
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
VISHAY
1735+
QFN
6528
科恒偉業(yè)!只做原裝正品!假一賠十!
詢價
VISHAY
23+
TSSOP
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價
VISHAY
19+
TSSOP
20000
584
詢價
VISHAY
23+
TSSOP
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價
VISHAY
2020+
TSSOP
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
VISHAY
24+
TSSOP
35200
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
詢價
更多SI7860DP-E3供應商 更新時間2025-2-3 15:30:00