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SI7911DN-T1-GE3

VISHAY

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

SI7911DN-T1-GE3

VISHAY
QFN-8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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SI7911DN-T1-GE3QFN8

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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SI7911DN-T1-GE3

VISHAY

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團(tuán)

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SI7911DN-T1-GE3

VISHAY

BARRY

Vishay Barry

相關(guān)企業(yè)：深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI7911DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 5.7A 2.5W 51mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
2021+
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
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VISHAY
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十!
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 詢價(jià)
更多SI7911DN-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 14:00:00

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