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SI7997DP-T1-GE3

Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?PWMoptimized ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Batteryandload switching? fornotebookPCs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7997DP-T1-GE3

Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SI7997DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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更多SI7997DP-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 11:16:00