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SI8407DB-T2-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 8.2A 2.9W 27mohm @ 4.5V硅原半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    SI8407DB-T2-E1

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    29403

  • 產(chǎn)品封裝：

    UCSP

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-9 10:15:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI8407DB-T2-E1品牌：VISHAY/威世

原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗 假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    SI8407DB-T2-E1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    69.49 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI8407DB-T2-E1

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 8.2A 2.9W 27mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳硅原半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李運(yùn)鴻

  • 手機(jī)：

    18823676336/13418911282

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18823676336

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道坂雪崗大道與永香路交匯處創(chuàng)匯國(guó)際中心706

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