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SI8902EDB_V01

Bi-Directional N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?Ultra-lowRSS(on) ?ESDprotected:4000V ?MICROFOOT?chipscalepackagingreduces footprintareaprofile(0.62mm)andon-resistance perfootprintarea ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多SI8902EDB_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 15:48:00

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